Neubiberg – Infineon ist es gelungen, erstmals Leistungshalbleiter aus 300-Millimeter-Siliciumcarbid-Wafern zu fertigen. Das ist nach Konzernangaben weltweit einmalig. Siliciumcarbid soll als Werkstoff für Hochleistungsstromwandler zunehmend Silicium ab
Dieser Artikel (ID: 2620542) ist am 10.11.2026 in folgenden Ausgaben erschienen: Mühldorfer Anzeiger (Seite 27), Wasserburger Zeitung (Seite 27), Mangfall-Bote (Seite 27), Chiemgau-Zeitung (Seite 27), Oberbayerisches Volksblatt (Seite 27), Waldkraiburger Nachrichten (Seite 27), Neumarkter Anzeiger (Seite 27).